3D Xpoint быстрее обычного флеша в 1000 раз

Компании Intel и Micron выпустили в свет энергонезависимую память 3D Xpoint (читается как «кросс-поинт»). Эту память позиционируют, как первую на рынке память «нового типа» с 1989 года. По официальным данным, новые чипы в совсем скоро смогут ускорять работу абсолютно любых устройств: от сотовых телефонов до  суперкомпьютеров.
Всем известно, что почти во всем объеме современной флеш-памяти используются транзисторы, в процессе творения 3D Xpoint было решено отказаться от них. Новая память выстроена в виде трехмерной шахматной доски, на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий. Оптимизация работы памяти достигается за счет возможности адресации к каждой отдельной ячейке, благодаря этому скорость чтения\записи значительно увеличивается. К примеру, из-за совершенно другой архитектуры обыкновенная память NAND потребует перезаписи целого блока ячеек вместо одной в 3D Xpoint.
За счет новой технологии  - возможности адресации к каждой отдельной ячейке, чипы 3D Xpoint примерно в 1000 раз быстрее памяти NAND. Если сравнивать другие параметры, то стоит выделить, что срок службы новой разработки в 1000 раз дольше, а плотность 3D Xpoint превосходит память DRAM в 10 раз.
Несмотря на то, что Intel и Micron утверждают, что новая разработка станет полезной в промышленном секторе и для компаний, которые работают с большими объемами данных, рядовые пользователи тоже смогут ощутить преимущества 3D Xpoint. Производство новой резистивной памяти (ReRAM) стартует уже в текущем году, а продажи обещают в начале 2016 года.