Samsung Electronics считает, что память в эпоху пост-DDR4 достигнет частоты 6,4 ГГц

Созданием стандарта DDR4 начали заниматься за несколько лет до коммерциализации DDR3. Пришлось ждать почти девять лет, прежде чем новая память превратилась в реальность. Можно понять, почему основные гиганты в индустрии памяти уже начали работать над новым стандартом, который должен будет прийти на смену DDR4. По мнению Samsung Electronics, прототипы новой памяти появятся уже в 2018 году, но её увидеть в свете ее будет можно лишь два года спустя, в 2020, причём последняя цифра является довольно оптимистичной.
Скорость в новой памяти смогут разогнать до 6,4 Гбит/с на вывод (per pin) с возможностью дальнейшего роста этой характеристики. При том условии, что 64-битного интерфейса сохранится, позволит создать модули памяти с пропускной способностью до 51,2 Гбайт/с. Заметно изменится и ёмкость чипов до 32 Гбит, а значит, появятся массовые восьмичиповые модули памяти ёмкостью 32 Гбайт.
Микросхемы эры пост-DDR4 будут производиться с использованием техпроцессов с нормами менее 10 нанометров. Стандарт DDR4 сегодня обладает массой достоинств и может предложить достаточно высокий уровень производительности, но есть и недостатки: в частности, на один канал контроллера памяти может приходиться не более двух небуферизированных модулей. Тактовые частоты ограничены значением 4,26 ГГц (официальная цифра JEDEC), ограничено и количество кристаллов в вертикальных сборках. Ожидаемый стандарт памяти ожидается, что сможет решить эти проблемы, что, впрочем, может потребовать серьёзной переработки архитектуры подсистем памяти в целом. Например, Samsung уже рассматривает возможность внедрения оптических интерфейсов и переход на упаковки типа 2,5D и 3D.
Если учитывать все сложности, которые непременно будут сопровождать внедрение нового типа памяти, то в коммерческих масштабах он может появиться на рынке на несколько лет позже 2020 года.